原子層沉積系統PICOSUN? R-200 ALD標準版

技術特點

圖標-1-3

典型的基板尺寸和類型

50–200 mm 單晶片

156 mm x 156 mm 太陽能硅晶片

3D 對象

粉末和顆粒

小批量

多孔、通孔和高縱橫比（高達 1:2500）

圖標產品溫度計

加工溫度

50 – 500°C

典型工藝

Al 2 O 3、TiO 2、SiO 2、Ta 2 O 5、HfO 2、ZnO、ZrO 2、TiN、AlN、Pt或Ir等金屬

圖標產品起重機鉤

基板裝載

使用氣動升降機手動裝載

帶磁性機械臂的負載鎖

前體

液體、固體、氣體、臭氧多達 6 個源，帶 4 個獨立入口

選項

Picoflow? 擴散增強劑、RGA、N2 發生器、氣體洗滌器、定制設計、惰性裝載手套箱兼容性

PICOSUN? R-200 標準 ALD 系統是熱 ALD 研究工具的市場領導者。它已成為創新驅動的公司和研究機構的首選工具。

靈活的設計可實現 很高質量的 ALD 薄膜沉積以及系統的終極靈活性，以適應未來的需求和應用。獲得 的熱壁設計具有完全獨立的入口和儀器，可實現無顆粒處理，適用于晶圓、3D 物體和所有納米級特征上的各種材料。得益于我們專有的 Picoflow? 技術，即使在 很具挑戰性的通孔、超高縱橫比和納米顆粒樣品上也能實現出色的均勻性。PICOSUN? R-200 標準系統配備功能強大且易于更換的液態、氣態和固態化學品前體源。與手套箱、粉末室和各種原位分析系統集成，可實現高效靈活的研究，并取得良好的結果，